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         就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，大量回收废旧电容器回收价格，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的从电源抽取较大的电流，而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源在线的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容，这就是我们所要的退耦电容。

因为寄生参数的影响，尤其是ESL的影响，实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线，低频时随频率的升高，电容阻抗降低；当到点时，电容阻抗等于ESR；之后随频率的升高，阻抗增加，表现出电感特性（归功于ESL）。因此对电容的选择需要 考虑的不仅仅是容值，还需要综合考虑其他因素。

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        在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。

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         当前SMD薄膜电容器主要采用以下三种电介质：

PolyphenyleneSulfide(PPS)——可以实现较高的工作温度;PolyethyeleneNapthlatae(PEN)——工作电压可达400Vdc;MetallizedPET(PET)——这是一种低成本方案。下面分别从尺寸、额定电压、电容值、工作温度等方面分析这三种不同介质产品的特性。

但是与PPS、PEN或PET薄膜相比，竞争性的MLCC产品体积更小，而且能够获得较高的电容，价格也比较便宜。因此，把容积效率与薄膜的内在品质相结合，将是今后小尺寸薄膜贴片电容器市场的主要发展方向，特别是PPS和PET薄膜贴片电容。

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